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文献
J-GLOBAL ID：201902266691467670
整理番号：19A0457459
次世代の不揮発性メモリに向けたハイブリッドRRAM 酸素空孔と金属イオンの結合【JST・京大機械翻訳】
Hybrid-RRAM toward Next Generation of Nonvolatile Memory: Coupling of Oxygen Vacancies and Metal Ions
Sassine Gilbert
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
,
Nail Cecile
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
,
Blaise Philippe
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
,
Sklenard Benoit
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
,
Bernard Mathieu
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
,
Gassilloud Remy
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
,
Marty Aurelie
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
,
Veillerot Marc
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
,
Vallee Christophe
(LTM CNRS, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
,
Nowak Etienne
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
,
Molas Gabriel
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
資料名：
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻： 5 号： 2 ページ： e1800658 発行年： 2019年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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