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文献
J-GLOBAL ID:201902266691467670   整理番号:19A0457459

次世代の不揮発性メモリに向けたハイブリッドRRAM 酸素空孔と金属イオンの結合【JST・京大機械翻訳】

Hybrid-RRAM toward Next Generation of Nonvolatile Memory: Coupling of Oxygen Vacancies and Metal Ions
著者 (11件):
Sassine Gilbert
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Nail Cecile
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Blaise Philippe
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Sklenard Benoit
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Bernard Mathieu
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Gassilloud Remy
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Marty Aurelie
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Veillerot Marc
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Vallee Christophe
(LTM CNRS, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Nowak Etienne
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)
Molas Gabriel
(CEA LETI Minatec Campus, 17 avenue des Martyrs, 38045, Grenoble, France)

資料名:
Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)

巻:号:ページ: e1800658  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2482A  ISSN: 2199-160X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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