文献
J-GLOBAL ID:201902266796631954
整理番号:19A1415619
超高次走査非線形誘電顕微鏡を用いた局所深準位過渡分光法とSiO_2/SiC界面トラップの二次元分布イメージングへの応用【JST・京大機械翻訳】
Local deep level transient spectroscopy using super-higher-order scanning nonlinear dielectric microscopy and its application to imaging two-dimensional distribution of SiO2/SiC interface traps
著者 (2件):
Chinone N.
(Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
,
Cho Y.
(Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
122
号:
10
ページ:
105701-105701-9
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)