文献
J-GLOBAL ID:201902267306077541
整理番号:19A1328730
高速水回転垂直CVDによって成長させた4H-SiCホモエピタキシャル膜ウエハ内の均一性と欠陥密度に及ぼす表面のC/Si比の影響
Impacts of surface C/Si ratio on in-wafer uniformity and defect density of 4H-SiC homo-epitaxial films grown by high-speed wafer rotation vertical CVD
著者 (3件):
DAIGO Yoshiaki
(NuFlare Technol., Inc., Kanagawa, JPN)
,
ISHII Shigeaki
(NuFlare Technol., Inc., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI Takehiko
(NuFlare Technol., Inc., Kanagawa, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
SB
ページ:
SBBK06.1-SBBK06.6
発行年:
2019年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)