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文献
J-GLOBAL ID：201902267660558469
整理番号：19A0324715
タングステン-インジウム-亜鉛オキシド薄膜トランジスタにおけるバイアス不安定性の動力学【JST・京大機械翻訳】
Dynamics of bias instability in the tungsten-indium-zinc oxide thin film transistor
Park Hyun-Woo
(Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul, 100-715, Korea. kbchung@dongguk.edu)
,
Kwon Sera
,
Song Aeran
,
Choi Dukhyun
,
Chung Kwun-Bum
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 7 号： 4 ページ： 1006-1013 発行年： 2019年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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