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文献
J-GLOBAL ID:201902267715629528   整理番号:19A1416271

再結合再解釈のABCモデル:InGaN/GaN発光ダイオードにおけるキャリア輸送と効率低下の理解への影響【JST・京大機械翻訳】

The ABC model of recombination reinterpreted: Impact on understanding carrier transport and efficiency droop in InGaN/GaN light emitting diodes
著者 (5件):
Hopkins M. A.
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, Bath, United Kingdom)
Allsopp D. W. E.
(Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Bath, Bath, United Kingdom)
Kappers M. J.
(Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 OFS, United Kingdom)
Oliver R. A.
(Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 OFS, United Kingdom)
Humphreys C. J.
(Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, 27 Charles Babbage Road, Cambridge CB3 OFS, United Kingdom)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 122  号: 23  ページ: 234505-234505-8  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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