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文献
J-GLOBAL ID：201902267805654759
整理番号：19A2874653
酸化還元活性分子ベース膜の異方性の制御は不揮発性抵抗スイッチングメモリに導く【JST・京大機械翻訳】
Control of anisotropy of a redox-active molecule-based film leads to non-volatile resistive switching memory
Kim Jaejun
(Department of Chemistry, School of Science, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, Japan. mkawano@chem.titech.ac.jp)
,
Ohtsu Hiroyoshi
,
Den Taizen
,
Deekamwong Krittanun
,
Muneta Iriya
,
Kawano Masaki
資料名：
Chemical Science (Web)
(Chemical Science (Web))
巻： 10 号： 47 ページ： 10888-10893 発行年： 2019年
JST資料番号： U7042A ISSN： 2041-6539 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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