文献
J-GLOBAL ID:201902268023027380
整理番号:19A1282903
α-Al2O3(1102)基板上に成長させたSCN膜の構造とElectron移動度【JST・京大機械翻訳】
Structure and Electron Mobility of ScN Films Grown on α-Al2O3(1102) Substrates
著者 (3件):
Ohgaki Takeshi
(Electroceramics Group, Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Sakaguchi Isao
(Ceramics Surface and Interface Group, Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
,
Ohashi Naoki
(Electroceramics Group, Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan)
資料名:
Materials (Web)
(Materials (Web))
巻:
11
号:
12
ページ:
2449
発行年:
2018年
JST資料番号:
U7237A
ISSN:
1996-1944
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)