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文献
J-GLOBAL ID：201902268166379776
整理番号：19A1625563
補償p型Czochralskiシリコンウエハの表面不動態化のためのSiN_x/SiO_2二重層の挙動【JST・京大機械翻訳】
Behavior of SiN x /SiO2 Double Layer for Surface Passivation of Compensated p-Type Czochralski Silicon Wafers
Maoudj M.
(Research Center in Semiconductor Technology for Energetic (CRTSE), Algiers, Algeria)
,
Maoudj M.
(Department of Electronics, Faculty of Technology, University Ferhat Abbas, Setif, Algeria)
,
Bouhafs D.
(Research Center in Semiconductor Technology for Energetic (CRTSE), Algiers, Algeria)
,
Bourouba N.
(Department of Electronics, Faculty of Technology, University Ferhat Abbas, Setif, Algeria)
,
El Amrani A.
(Research Center in Semiconductor Technology for Energetic (CRTSE), Algiers, Algeria)
,
Tahi H.
(Advanced Technology Development Center CDTA, Baba-Hassen, Algiers, Algeria)
,
Hamida-Ferhat A.
(Department of Electronics, Faculty of Technology, University Ferhat Abbas, Setif, Algeria)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 48 号： 6 ページ： 4025-4032 発行年： 2019年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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