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文献
J-GLOBAL ID：201902268206786491
整理番号：19A2901898
イオン注入GaNエピ層における格子無秩序とN元素偏析【JST・京大機械翻訳】
Lattice disorder and N elemental segregation in ion implanted GaN epilayer
Li B.S.
(State Key Laboratory for Environment-friendly Energy Materials, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China)
,
Li B.S.
(Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, Gansu 730000, China)
,
Liu H.P.
(Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, Gansu 730000, China)
,
Xu L.J.
(Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, Gansu 730000, China)
,
Wang J.
(School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China)
,
Song J.
(School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China)
,
Peng D.P.
(School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China)
,
Li J.H.
(School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China)
,
Zhao F.Q.
(School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China)
,
Kang L.
(Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, Gansu 730000, China)
,
Zhang T.M.
(Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou, Gansu 730000, China)
,
Tang H.X.
(School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China)
,
Xiong An.L.
(School of National Defense Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 499 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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