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文献
J-GLOBAL ID：201902268321103401
整理番号：19A2704733
X線イメージング検出器開発のための(211)Si基板上の厚く均一な単結晶CdTeエピタキシャル層の有機金属気相エピタクシー【JST・京大機械翻訳】
Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Thick and Uniform Single Crystal CdTe Epitaxial Layers on (211) Si Substrates for X-ray Imaging Detector Development
Niraula M.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Yasuda K.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Torii R.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Tamura R.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Higashira Y.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Agata Y.
(Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 48 号： 12 ページ： 7680-7685 発行年： 2019年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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