文献
J-GLOBAL ID:201902268552321033
整理番号:19A2743732
ランタンをドープしたHf_0.5Zr_0.5O_2キャパシタにおける強誘電信頼性性能へのMajor寄与体としてのバルク脱分極場【JST・京大機械翻訳】
Bulk Depolarization Fields as a Major Contributor to the Ferroelectric Reliability Performance in Lanthanum Doped Hf0.5Zr0.5O2 Capacitors
著者 (8件):
Mehmood Furqan
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Hoffmann Michael
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Lomenzo Patrick D.
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Richter Claudia
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Materano Monica
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Mikolajick Thomas
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
,
Mikolajick Thomas
(Chair of Nanoelectronic Materials, TU Dresden, 01069, Dresden, Germany)
,
Schroeder Uwe
(NaMLab gGmbH, Noethnitzer Strasse 64, 01187, Dresden, Germany)
資料名:
Advanced Materials Interfaces
(Advanced Materials Interfaces)
巻:
6
号:
21
ページ:
e1901180
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2484A
ISSN:
2196-7350
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)