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文献
J-GLOBAL ID：201902268816056311
整理番号：19A2179467
65nm CMOS技術による24.8dBm出力電力と24.3%PAEを持つKaバンド積層電力増幅器【JST・京大機械翻訳】
A Ka-Band Stacked Power Amplifier with 24.8-dBm Output Power and 24.3% PAE in 65-nm CMOS Technology
Yang Chang
(Dept. of Electr. Eng., Nat. Taiwan Univ., Taipei, Taiwan)
,
Bo-Ze Lu
(Dept. of Electr. Eng., Nat. Taiwan Univ., Taipei, Taiwan)
,
Yunshan Wang
(Dept. of Electr. Eng., Nat. Taiwan Univ., Taipei, Taiwan)
,
Huei Wang
(Dept. of Electr. Eng., Nat. Taiwan Univ., Taipei, Taiwan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： IMS ページ： 316-319 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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