文献
J-GLOBAL ID:201902268896559717
整理番号:19A0397924
0.1μm GaAs PHEMTプロセスを用いたWバンド広帯域低雑音増幅器【JST・京大機械翻訳】
W-band Broadband Low Noise Amplifier Using $0.1-¥mu ¥mathrm{m}$ GaAs pHEMT Process
著者 (3件):
Zhang Jian
(Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
,
Lu Yawen
(Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
,
Sun Pengfei
(Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ISAPE
ページ:
1-3
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)