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J-GLOBAL ID:201902268896559717   整理番号:19A0397924

0.1μm GaAs PHEMTプロセスを用いたWバンド広帯域低雑音増幅器【JST・京大機械翻訳】

W-band Broadband Low Noise Amplifier Using $0.1-¥mu ¥mathrm{m}$ GaAs pHEMT Process
著者 (3件):
Zhang Jian
(Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
Lu Yawen
(Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)
Sun Pengfei
(Hangzhou Dianzi University, Hangzhou, China)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2018  号: ISAPE  ページ: 1-3  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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