文献
J-GLOBAL ID:201902269022166356
整理番号:19A0510784
高コモンモード電圧過渡免疫による低ジッタGaN E-HEMTゲートドライバ【JST・京大機械翻訳】
Low-Jitter GaN E-HEMT Gate Driver With High Common-Mode Voltage Transient Immunity
著者 (3件):
Mauerer Mario
(Power Electronic Systems Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, Zurich, Switzerland)
,
Tuysuz Arda
(Power Electronic Systems Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, Zurich, Switzerland)
,
Kolar Johann W.
(Power Electronic Systems Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology, Zurich, Switzerland)
資料名:
IEEE Transactions on Industrial Electronics
(IEEE Transactions on Industrial Electronics)
巻:
64
号:
11
ページ:
9043-9051
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0234A
ISSN:
0278-0046
CODEN:
ITIED6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)