文献
J-GLOBAL ID:201902270646737565
整理番号:19A0487972
InGaN系多重量子井戸発光素子内のナノ構造の性能【JST・京大機械翻訳】
Performance of Nanostructures within InGaN-Based Multiquantum-Well Light-Emitting Devices
著者 (3件):
Wu Ya-Fen
(Department of Electronic Engineering, Ming Chi University of Technology, New Taipei City 243, Taiwan)
,
Wu Ya-Fen
(College of Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan)
,
Lee Jiunn-Chyi
(Department of Electrical Engineering, Taipei City University of Science and Technology, Taipei 112, Taiwan)
資料名:
Applied Sciences (Web)
(Applied Sciences (Web))
巻:
7
号:
4
ページ:
380
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7135A
ISSN:
2076-3417
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)