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文献
J-GLOBAL ID：201902270646737565
整理番号：19A0487972
InGaN系多重量子井戸発光素子内のナノ構造の性能【JST・京大機械翻訳】
Performance of Nanostructures within InGaN-Based Multiquantum-Well Light-Emitting Devices
Wu Ya-Fen
(Department of Electronic Engineering, Ming Chi University of Technology, New Taipei City 243, Taiwan)
,
Wu Ya-Fen
(College of Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan)
,
Lee Jiunn-Chyi
(Department of Electrical Engineering, Taipei City University of Science and Technology, Taipei 112, Taiwan)
資料名：
Applied Sciences (Web)
(Applied Sciences (Web))
巻： 7 号： 4 ページ： 380 発行年： 2017年
JST資料番号： U7135A ISSN： 2076-3417 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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