文献
J-GLOBAL ID:201902270816023665
整理番号:19A2770448
紫外レーザダイオード用のタイプII AlInN/ZnGeO_2量子井戸の利得特性【JST・京大機械翻訳】
Gain Properties of Type-II AlInN / ZnGeN2 Quantum Wells for Ultraviolet Laser Diodes
著者 (3件):
Fu Hanlin
(Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA)
,
Goodrich Justin C.
(Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA)
,
Tansu Nelson
(Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
IPC
ページ:
1-2
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)