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文献
J-GLOBAL ID：201902271642221136
整理番号：19A0549549
光ルミネセンスによる半導体薄膜の吸収係数【JST・京大機械翻訳】
Absorption Coefficient of a Semiconductor Thin Film from Photoluminescence
Rey G.
(Laboratory for Photovoltaics, Physics and Materials Science Research Unit, L-4422 Belvaux, Luxembourg)
,
Spindler C.
(Laboratory for Photovoltaics, Physics and Materials Science Research Unit, L-4422 Belvaux, Luxembourg)
,
Babbe F.
(Laboratory for Photovoltaics, Physics and Materials Science Research Unit, L-4422 Belvaux, Luxembourg)
,
Rachad W.
(Laboratory for Photovoltaics, Physics and Materials Science Research Unit, L-4422 Belvaux, Luxembourg)
,
Siebentritt S.
(Laboratory for Photovoltaics, Physics and Materials Science Research Unit, L-4422 Belvaux, Luxembourg)
,
Nuys M.
(Forschungszentrum Juelich GmbH Institut fuer Energie und Klimaforschung, 52425 Juelich, Germany)
,
Carius R.
(Forschungszentrum Juelich GmbH Institut fuer Energie und Klimaforschung, 52425 Juelich, Germany)
,
Li S.
(Ångstrom Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala University, 751 21 Uppsala, Sweden)
,
Platzer-Bjorkman C.
(Ångstrom Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala University, 751 21 Uppsala, Sweden)
資料名：
Physical Review Applied
(Physical Review Applied)
巻： 9 号： 6 ページ： 064008 発行年： 2018年
JST資料番号： W3691A ISSN： 2331-7019 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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