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文献
J-GLOBAL ID：201902271907209836
整理番号：19A0645574
スパッタリング法により堆積したゲート絶縁体としての高k SrTa_2O_6を用いた非晶質InGaZnO薄膜トランジスタの改良【JST・京大機械翻訳】
Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor Using High-k SrTa2O6 as Gate Insulator Deposited by Sputtering Method
Takahashi Takanori
(National Institute of Technology, Tsuruoka College 104 Sawada, Tsuruoka, Yamagata 997-8511, Japan)
,
Hoga Takeshi
(National Institute of Technology, Tsuruoka College 104 Sawada, Tsuruoka, Yamagata 997-8511, Japan)
,
Miyanaga Ryoko
(Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan)
,
Oikawa Kento
(Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan)
,
Fujii Mami N.
(Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan)
,
Ishikawa Yasuaki
(Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan)
,
Uraoka Yukiharu
(Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan)
,
Uchiyama Kiyoshi
(National Institute of Technology, Tsuruoka College 104 Sawada, Tsuruoka, Yamagata 997-8511, Japan)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216 号： 5 ページ： e1700773 発行年： 2019年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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