文献
J-GLOBAL ID:201902272592577740
整理番号:19A1414472
MOS_2/多孔質シリコンヘテロ接合に基づく高性能広帯域光検出器【JST・京大機械翻訳】
High performance broadband photodetector based on MoS2/porous silicon heterojunction
著者 (4件):
Dhyani Veerendra
(Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India)
,
Dwivedi Priyanka
(Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India)
,
Dhanekar Saakshi
(Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India)
,
Das Samaresh
(Centre for Applied Research in Electronics, Indian Institute of Technology Delhi, New Delhi 110016, India)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
19
ページ:
191107-191107-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)