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文献
J-GLOBAL ID：201902272683764160
整理番号：19A1414435
磁気トンネル接合における磁壁運動に基づく多層記憶装置【JST・京大機械翻訳】
Multilevel storage device based on domain-wall motion in a magnetic tunnel junction
Cai Jialin
(School of Nano Technology and Nano Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
,
Fang Bin
(Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, CAS, Suzhou, Jiangsu 215123, People’s Republic of China)
,
Wang Chao
(School of Nano Technology and Nano Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
,
Zeng Zhongming
(School of Nano Technology and Nano Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 111 号： 18 ページ： 182410-182410-4 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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