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文献
J-GLOBAL ID：201902273229795557
整理番号：19A2094718
選択的タングステン化学蒸着を用いたナノ電気機械論理ゲート【JST・京大機械翻訳】
Nanoelectromechanical Logical Gates Utilising Selective Tungsten Chemical Vapor Deposition
Toan Nguyen Van
(Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, JAPAN)
,
Zhao Dong
(Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, JAPAN)
,
Inomata Naoki
(Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, JAPAN)
,
Toda Masaya
(Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, JAPAN)
,
Song Yunheub
(Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, KOREA)
,
Ono Takahito
(Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, JAPAN)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： TRANSDUCERS & EUROSENSORS XXXIII ページ： 1709-1711 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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