文献
J-GLOBAL ID:201902273451496469
整理番号:19A2745031
エージング試験後の0.15μm GaN技術におけるトラップ誘起パワードリフトの研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of trap induced power drift on 0.15 μm GaN technology after aging tests
著者 (7件):
Magnier F.
(United Monolithic Semiconductors, 10 avenue du Quebec, 91140 Villebon-sur-Yvette, France)
,
Magnier F.
(Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France)
,
Lambert B.
(United Monolithic Semiconductors, 10 avenue du Quebec, 91140 Villebon-sur-Yvette, France)
,
Chang C.
(United Monolithic Semiconductors, 10 avenue du Quebec, 91140 Villebon-sur-Yvette, France)
,
Curutchet A.
(Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France)
,
Labat N.
(Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France)
,
Malbert N.
(Laboratoire IMS - Universite de Bordeaux, 351 cours de la Liberation, 33405 Talence, France)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
100-101
ページ:
Null
発行年:
2019年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)