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文献
J-GLOBAL ID：201902273743582036
整理番号：19A0610727
電圧印加時GaAs p-n接合の高精度電子線ホログラフィーその場観察
Precise Potential Observation of a Biased GaAs p-n Junction by in situ Phase-shifting Electron Holography
穴田智史
(一般財団法人ファインセラミックスセンター)
,
山本和生
(一般財団法人ファインセラミックスセンター)
,
平山司
(一般財団法人ファインセラミックスセンター)
,
佐々木宏和
(古河電気工業株式会社)
,
堀祐臣
(古河電気工業株式会社)
,
衣川耕平
(古河電気工業株式会社)
,
今村明博
(古河電気工業株式会社)
,
柴田直哉
(東京大学・ファインセラミックスセンター)
資料名：
まてりあ
(Materia Japan)
巻： 58 号： 2 ページ： 101(J-STAGE) 発行年： 2019年
JST資料番号： F0163A ISSN： 1340-2625 CODEN： MTERE2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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