文献
J-GLOBAL ID:201902274104580988
整理番号:19A1415340
GaNにおける炭素関連エネルギー準位の第一原理研究 II 炭素および水素,シリコンまたは酸素により形成された錯体【JST・京大機械翻訳】
A first-principles study of carbon-related energy levels in GaN. II. Complexes formed by carbon and hydrogen, silicon or oxygen
著者 (2件):
Matsubara Masahiko
(Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University, 8 St. Mary’s Street, Boston, Massachusetts 02215, USA)
,
Bellotti Enrico
(Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University, 8 St. Mary’s Street, Boston, Massachusetts 02215, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
121
号:
19
ページ:
195702-195702-16
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)