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文献
J-GLOBAL ID：201902274540454174
整理番号：19A1658207
C-シリコンの不動態化のためのALD[数式:原文を参照]プロセスパラメータの最適化と工業用単結晶シリコン太陽電池へのその実装【JST・京大機械翻訳】
Optimization of ALD [Formula : see text] process parameters for passivation of c-silicon and its implementation on industrial monocrystalline silicon solar cell
Bansal Akansha
(Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Allahabad, UP, India)
,
Singh Prashant
(Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Allahabad, UP, India)
,
Jha Rajesh Kumar
(Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Allahabad, UP, India)
,
Singh B. R.
(Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Allahabad, UP, India)
資料名：
Applied Physics. B. Lasers and Optics
(Applied Physics. B. Lasers and Optics)
巻： 125 号： 6 ページ： 1-11 発行年： 2019年
JST資料番号： E0501B ISSN： 0946-2171 CODEN： APBOEM 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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