文献
J-GLOBAL ID:201902274625979198
整理番号:19A2114516
窒素イオン注入により形成されたガードリングを持つ垂直Ga_2O_3Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation
著者 (11件):
Lin Chia-Hung
(National Institute of Information and Communications Technology, Japan)
,
Yuda Yohei
(Mitsubishi Electric Corporation, Japan)
,
Wong Man Hoi
(National Institute of Information and Communications Technology, Japan)
,
Sato Mayuko
(Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan)
,
Takekawa Nao
(Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan)
,
Konishi Keita
(Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan)
,
Watahiki Tatsuro
(Mitsubishi Electric Corporation, Japan)
,
Yamamuka Mikio
(Mitsubishi Electric Corporation, Japan)
,
Murakami Hisashi
(Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan)
,
Kumagai Yoshinao
(Tokyo University of Agriculture and Technology, Japan)
,
Higashiwaki Masataka
(National Institute of Information and Communications Technology, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
CSW
ページ:
1
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)