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文献
J-GLOBAL ID：201902274777678397
整理番号：19A0029515
22%の効率的なドーパントを含まない交差接触シリコン太陽電池【JST・京大機械翻訳】
22% efficient dopant-free interdigitated back contact silicon solar cells
Wu Weiliang
(Institute for Solar Energy Systems, School of Physics and State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University (SYSU), Guangzhou, China)
,
Lin Wenjie
(Institute for Solar Energy Systems, School of Physics and State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University (SYSU), Guangzhou, China)
,
Zhong Sihua
(Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Institute of Microengineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Rue de la Maladiere 71b, CH-2000 Neuchatel, Switzerland)
,
Paviet-Salomon Bertrand
(Centre Suisse d’Electronique et de Microtechnique (CSEM), PV-Center, Rue Jaquet-Droz 1, CH-2002 Neuchatel, Switzerland)
,
Despeisse Matthieu
(Centre Suisse d’Electronique et de Microtechnique (CSEM), PV-Center, Rue Jaquet-Droz 1, CH-2002 Neuchatel, Switzerland)
,
Liang Zongcun
(Institute for Solar Energy Systems, School of Physics and State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University (SYSU), Guangzhou, China)
,
Boccard Mathieu
(Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Institute of Microengineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Rue de la Maladiere 71b, CH-2000 Neuchatel, Switzerland)
,
Shen Hui
(Institute for Solar Energy Systems, School of Physics and State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University (SYSU), Guangzhou, China)
,
Ballif Christophe
(Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, Institute of Microengineering, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Rue de la Maladiere 71b, CH-2000 Neuchatel, Switzerland)
資料名：
AIP Conference Proceedings
(AIP Conference Proceedings)
巻： 1999 号： 1 ページ： 040025-040025-6 発行年： 2018年
JST資料番号： D0071C ISSN： 0094-243X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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