文献
J-GLOBAL ID:201902274819275296
整理番号:19A1415056
GaSbベース赤外検出器における表面漏れ制御のための網状浅エッチメサ分離【JST・京大機械翻訳】
Reticulated shallow etch mesa isolation for controlling surface leakage in GaSb-based infrared detectors
著者 (10件):
Nolde J. A.
(U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA)
,
Jackson E. M.
(U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA)
,
Bennett M. F.
(Sotera Defense Solutions, Inc., 7230 Lee Deforest Dr. Suite 100, Columbia, Maryland 21046, USA)
,
Affouda C. A.
(U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA)
,
Cleveland E. R.
(U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA)
,
Canedy C. L.
(U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA)
,
Vurgaftman I.
(U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA)
,
Jernigan G. G.
(U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA)
,
Meyer J. R.
(U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA)
,
Aifer E. H.
(U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
5
ページ:
051102-051102-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)