文献
J-GLOBAL ID:201902274863257713
整理番号:19A1415303
スパッタしたCu_2O:N/c-Siヘテロ接合ダイオードの作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】
Fabrication and characterization of sputtered Cu2O:N/c-Si heterojunction diode
著者 (4件):
Takiguchi Yuki
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan)
,
Takei Yutaro
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan)
,
Nakada Kazuyoshi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan)
,
Miyajima Shinsuke
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8550, Japan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
9
ページ:
093501-093501-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)