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文献
J-GLOBAL ID：201902274932031469
整理番号：19A1627392
高い可視光活性に曝された(001)ファセットを有するBi_4NbO_8Clのゾル-ゲル法合成【JST・京大機械翻訳】
The Sol-gel method synthesis of Bi4NbO8Cl with (001) facets exposed for high visible-light activity
Ni Guangda
(Physics Department, Changji University, Changji, China)
,
Li Yanqing
(Physics Department, Changji University, Changji, China)
,
Li Yanqing
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China)
,
Chen Huimin
(Physics Department, Changji University, Changji, China)
,
Wang Zeyan
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China)
,
Qin Xiaoyan
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China)
,
Zhang Xiaoyang
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China)
,
Huang Baibiao
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China)
,
Li Fengping
(School of Physics, Shandong University, Jinan, China)
,
Liu Hongshuai
(State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30 号： 8 ページ： 7907-7915 発行年： 2019年
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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