文献
J-GLOBAL ID:201902275381878731
整理番号:19A1939581
ナノスケールElectronデバイス作製のための動的押込により測定した10nm絶縁膜の弾性応答【JST・京大機械翻訳】
Elastic Response of 10-nm Insulator Films Measured by Dynamic Indentation for Nano-scale Electron Device Fabrication
著者 (5件):
Bolotov Leonid
(Nanoelectronics Research Institute, Nat. Inst. of Advanced Industrial Science & Technology (AIST), Japan)
,
Uchida Noriyuki
(Nanoelectronics Research Institute, Nat. Inst. of Advanced Industrial Science & Technology (AIST), Japan)
,
Chang Wen Hsin
(Nanoelectronics Research Institute, Nat. Inst. of Advanced Industrial Science & Technology (AIST), Japan)
,
Maeda Tatsuro
(Nanoelectronics Research Institute, Nat. Inst. of Advanced Industrial Science & Technology (AIST), Japan)
,
Migita Shinji
(Nanoelectronics Research Institute, Nat. Inst. of Advanced Industrial Science & Technology (AIST), Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
SNW
ページ:
1-2
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)