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文献
J-GLOBAL ID：201902275609090837
整理番号：19A1890969
HBN/WS_2/MOS_2/hBNのvan der Waalsヘテロ構造における直接および間接層間励起子【JST・京大機械翻訳】
Direct and Indirect Interlayer Excitons in a van der Waals Heterostructure of hBN/WS2/MoS2/hBN
Okada Mitsuhiro
(Department of Chemistry, Nagoya University, Japan)
,
Kutana Alex
(Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Texas, United States)
,
Kureishi Yusuke
(Department of Chemistry, Nagoya University, Japan)
,
Kobayashi Yu
(Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Japan)
,
Saito Yuika
(Department of Chemistry, Gakushuin University, Japan)
,
Saito Tetsuki
(Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Japan)
,
Watanabe Kenji
(National Institute for Materials Science, Japan)
,
Taniguchi Takashi
(National Institute for Materials Science, Japan)
,
Gupta Sunny
(Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Texas, United States)
,
Miyata Yasumitsu
(Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Japan)
,
Yakobson Boris I.
(Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Texas, United States)
,
Shinohara Hisanori
(Department of Chemistry, Nagoya University, Japan)
,
Kitaura Ryo
(Department of Chemistry, Nagoya University, Japan)
資料名：
ACS Nano
(ACS Nano)
巻： 12 号： 3 ページ： 2498-2505 発行年： 2018年
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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