文献
J-GLOBAL ID:201902275984803625
整理番号:19A1629482
絶縁体Al_2O_3層を持つ有機P_3HT膜に基づくMIS構造のアドミタンスの周波数依存性のモデリングの特異性【JST・京大機械翻訳】
Peculiarities of Modeling the Frequency Dependences of Admittance of MIS Structure Based on Organic P3HT Film with an Insulator Al2O3 Layer
著者 (4件):
Voitsekhovskii A. V.
(National Research Tomsk State University, Tomsk, Russia)
,
Voitsekhovskii A. V.
(V. D. Kuznetsov Siberian Physical Technical Institute at Tomsk State University, Tomsk, Russia)
,
Nesmelov S. N.
(National Research Tomsk State University, Tomsk, Russia)
,
Dzyadukh S. M.
(National Research Tomsk State University, Tomsk, Russia)
資料名:
Russian Physics Journal
(Russian Physics Journal)
巻:
61
号:
11
ページ:
2126-2134
発行年:
2019年
JST資料番号:
A1030A
ISSN:
1064-8887
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)