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文献
J-GLOBAL ID:201902276059572269   整理番号:19A2619510

BaTiO3-FTJの抵抗変化メモリ効果とシナプス応用

著者 (4件):
澤彰仁
(産業技術総合研)
山田浩之
(産業技術総合研)
STOLIAR Pablo
(産業技術総合研)
豊崎喜精
(産業技術総合研)

資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻: 80th  ページ: ROMBUNNO.20p-C309-10  発行年: 2019年09月04日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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