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文献
J-GLOBAL ID：201902276786203095
整理番号：19A0921999
雑音源インピーダンスを抽出した単相SiC MOSFETインバータのEMIフィルタ設計【JST・京大機械翻訳】
EMI filter design of single-phase SiC MOSFET inverter with extracted noise source impedance
Liu Yitao
(College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
,
Jiang Shiqi
(College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
,
Wang Huaizhi
(College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
,
Wang Guibin
(College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
,
Yin Jian
(College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
,
Peng Jianchun
(College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China)
資料名：
IEEE Electromagnetic Compatibility Magazine
(IEEE Electromagnetic Compatibility Magazine)
巻： 8 号： 1 ページ： 45-53 発行年： 2019年
JST資料番号： W2312A ISSN： 2162-2264 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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