文献
J-GLOBAL ID:201902277095186724
整理番号:19A1415951
低劣化導電性ブリッジ抵抗メモリ素子の数値解析と実験的実証【JST・京大機械翻訳】
A numerical analysis and experimental demonstration of a low degradation conductive bridge resistive memory device
著者 (3件):
Berco Dan
(Nanyang Technological University, School of Electrical and Electronic Engineering, 50 Nanyang Avenue, Singapore, Singapore 639798)
,
Chand Umesh
(Computer, Electrical and Mathematical Sciences & Engineering (CEMSE) Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, Saudi Arabia)
,
Fariborzi Hossein
(Computer, Electrical and Mathematical Sciences & Engineering (CEMSE) Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, Saudi Arabia)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
122
号:
16
ページ:
164502-164502-10
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)