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文献
J-GLOBAL ID：201902277380348803
整理番号：19A1269971
プラズマ誘起電子欠陥:水素化非晶質シリコンにおける生成と消滅動力学【JST・京大機械翻訳】
Plasma-Induced Electronic Defects: Generation and Annihilation Kinetics in Hydrogenated Amorphous Silicon
Nunomura Shota
(Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Sakata Isao
,
Matsubara Koji
資料名：
Physical Review Applied
(Physical Review Applied)
巻： 10 号： 5 ページ： 054006 発行年： 2018年
JST資料番号： W3691A ISSN： 2331-7019 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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