文献
J-GLOBAL ID:201902278096224724
整理番号:19A1279256
InSeおよびSb2Se3層状半導体の原子層成長とそれらのヘテロ構造【JST・京大機械翻訳】
Atomic Layer Growth of InSe and Sb2Se3 Layered Semiconductors and Their Heterostructure
著者 (4件):
Browning Robert
(Department of Physics, Portland State University, Portland, OR 97207, USA)
,
Kuperman Neal
(Department of Physics, Portland State University, Portland, OR 97207, USA)
,
Moon Bill
(Department of Physics, Portland State University, Portland, OR 97207, USA)
,
Solanki Raj
(Department of Physics, Portland State University, Portland, OR 97207, USA)
資料名:
Electronics (Web)
(Electronics (Web))
巻:
6
号:
2
ページ:
27
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7178A
ISSN:
2079-9292
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)