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文献
J-GLOBAL ID：201902278427125267
整理番号：19A2817902
負の微分コンダクタンス(NDT)を考慮したトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の設計ガイドライン【JST・京大機械翻訳】
Design guideline of tunnel field-effect transistors (TFETs) considering negative differential transconductance (NDT)
Lee Jang Woo
(Department of Electronic Eng., Sogang Univ., 35 Baekbeom-ro, Mapo-gu, Seoul 04107, Republic of Korea)
,
Choi Woo Young
(Department of Electronic Eng., Sogang Univ., 35 Baekbeom-ro, Mapo-gu, Seoul 04107, Republic of Korea)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 163 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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