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文献
J-GLOBAL ID：201902278533840346
整理番号：19A0549347
薄膜トランジスタのための非晶質In-Ga-Zn酸化物のアニーリング中の欠陥構造と深いサブギャップ状態の進展【JST・京大機械翻訳】
Evolution of Defect Structures and Deep Subgap States during Annealing of Amorphous In-Ga-Zn Oxide for Thin-Film Transistors
Jia Junjun
(Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara 252-5258, Japan)
,
Suko Ayaka
(Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara 252-5258, Japan)
,
Shigesato Yuzo
(Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Chuo, Sagamihara 252-5258, Japan)
,
Okajima Toshihiro
(Kyushu Synchrotron Light Research Center, 8-7 Yayoigaoka, Tosu, Saga 841-0005, Japan)
,
Inoue Keiko
(Toray Research Center, Inc., Sonoyama 3-3-7, Otsu, Shiga 520-8567, Japan)
,
Hosomi Hiroyuki
(Toray Research Center, Inc., Sonoyama 3-3-7, Otsu, Shiga 520-8567, Japan)
資料名：
Physical Review Applied
(Physical Review Applied)
巻： 9 号： 1 ページ： 014018 発行年： 2018年
JST資料番号： W3691A ISSN： 2331-7019 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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