前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201902278833256624
整理番号：19A1413789
TFT応用のための非晶質In-Ga-Zn-O薄膜における水素アニオンとサブギャップ状態【JST・京大機械翻訳】
Hydrogen anion and subgap states in amorphous In-Ga-Zn-O thin films for TFT applications
Bang Joonho
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan)
,
Matsuishi Satoru
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan)
,
Hosono Hideo
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 23 ページ： 232105-232105-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。