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文献
J-GLOBAL ID：201902280420294772
整理番号：19A2817887
有機トランジスタにおける接触抵抗の金属酸化物誘起還元の理解【JST・京大機械翻訳】
Understanding the metal-oxides induced reduction of the contact resistance in organic transistors
Donnhaeuser Shabnam
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Germany)
,
Minagawa Masahiro
(Department of Electronic Control Engineering, Nagaoka National College of Technology, Niigata, Japan)
,
Minagawa Masahiro
(Department of Chemical Engineering, Stanford University, 443 Via Ortega, Stanford, CA 94305-4125, USA)
,
Blawid Stefan
(Department of Electrical Engineering, Universidade de Brasilia, 70910-900 Brasilia-DF, Brazil)
,
Claus Martin
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Germany)
,
Claus Martin
(Center for Advancing Electronics Dresden, Technische Universitaet Dresden, Germany)
,
Claus Martin
(Department of Chemical Engineering, Stanford University, 443 Via Ortega, Stanford, CA 94305-4125, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 163 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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