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文献
J-GLOBAL ID：201902280510007045
整理番号：19A0122889
新しく開発したSiC-VMOSFETを用いた3kWシングルエンド無線EV充電器【JST・京大機械翻訳】
A 3kW Single-Ended Wireless EV Charger with a Newly Developed SiC-VMOSFET
Maeno Ryota
(Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Omori Hideki
(Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Michikoshi Hisato
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Japan)
,
Kimura Noriyuki
(Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Morizane Toshimitsu
(Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： ICRERA ページ： 1-6 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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