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文献
J-GLOBAL ID：201902280775796890
整理番号：19A2744978
DCセミオンストレスを受けたGaN HD-GITSにおけるドレイン電流の応力と回復動力学【JST・京大機械翻訳】
Stress and Recovery Dynamics of Drain Current in GaN HD-GITs Submitted to DC Semi-ON stress
Padovan V.
(KAI GmbH, Europastrasse 8,9524, Villach, Austria)
,
Padovan V.
(Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Gusshausstrasse 25, 1040 Vienna, Austria)
,
Koller C.
(KAI GmbH, Europastrasse 8,9524, Villach, Austria)
,
Pobegen G.
(KAI GmbH, Europastrasse 8,9524, Villach, Austria)
,
Ostermaier C.
(Infineon Technologies Austria AG, Siemensstrasse 2, 9500 Villach, Austria)
,
Pogany D.
(Institute of Solid State Electronics, TU Wien, Gusshausstrasse 25, 1040 Vienna, Austria)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 100-101 ページ： Null 発行年： 2019年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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