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文献
J-GLOBAL ID：201902281320541844
整理番号：19A2090809
高エネルギーイオン入射により発生したシリコン中の横方向電荷分布の測定【JST・京大機械翻訳】
Measurement of the Lateral Charge Distribution in Silicon Generated by High-Energy Ion Incidence
Abo Satoshi
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan)
,
Tani Kenichi
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan)
,
Wakaya Fujio
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan)
,
Onoda Shinobu
(Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, Gunma, Japan)
,
Miyato Yuji
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan)
,
Yamashita Hayato
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan)
,
Abe Masayuki
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018 号： IIT ページ： 156-159 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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