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文献
J-GLOBAL ID：201902281627895481
整理番号：19A1408082
大面積,数層MoTe_2の化学蒸着成長におけるテルル化速度依存金属-半導体-金属相の進展【JST・京大機械翻訳】
Tellurization Velocity-Dependent Metallic-Semiconducting-Metallic Phase Evolution in Chemical Vapor Deposition Growth of Large-Area, Few-Layer MoTe2
Yang Li
(Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China)
,
Zhang Wenfeng
(Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China)
,
Li Jie
(Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China)
,
Cheng Shuai
(Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China)
,
Xie Zijian
(Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China)
,
Chang Haixin
(Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mold Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, P.R. China)
資料名：
ACS Nano
(ACS Nano)
巻： 11 号： 2 ページ： 1964-1972 発行年： 2017年02月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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