文献
J-GLOBAL ID:201902281920793124
整理番号:19A2618104
単層HfS_2における固有構造欠陥による増強されたオプトエレクトロニクスおよび熱電特性【JST・京大機械翻訳】
Enhanced Optoelectronic and Thermoelectric Properties by Intrinsic Structural Defects in Monolayer HfS2
著者 (3件):
Singh Deobrat
(Condensed Matter Theory Group, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Sweden)
,
Ahuja Rajeev
(Condensed Matter Theory Group, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Sweden)
,
Ahuja Rajeev
(Applied Materials Physics, Department of Materials and Engineering, Royal Institute of Technology (KTH), Sweden)
資料名:
ACS Applied Energy Materials
(ACS Applied Energy Materials)
巻:
2
号:
9
ページ:
6891-6903
発行年:
2019年
JST資料番号:
W5032A
ISSN:
2574-0962
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)