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文献
J-GLOBAL ID：201902282089569638
整理番号：19A1414140
B_0.14Al_0.86N/Al_0.7Ga_0.3Nヘテロ接合のバンド整列【JST・京大機械翻訳】
Band alignment of B0.14Al0.86N/Al0.7Ga0.3N heterojunction
Sun Haiding
(King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Advanced Semiconductor Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
,
Park Young Jae
(Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA)
,
Li Kuang-Hui
(King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Advanced Semiconductor Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
,
Torres Castanedo C. G.
(King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Advanced Semiconductor Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
,
Alowayed Abdulmohsen
(King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Advanced Semiconductor Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
,
Detchprohm Theeradetch
(Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA)
,
Dupuis Russell D.
(Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA)
,
Li Xiaohang
(King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Advanced Semiconductor Laboratory, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 111 号： 12 ページ： 122106-122106-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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