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文献
J-GLOBAL ID：201902282764215151
整理番号：19A2331892
AlN/オフアクシスSi(110)ヘテロ構造上の3C-SiC(111)の成長とその上へのエピタキシャルグラフェンの形成
Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon
NARITA Syunki
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
NARA Yuki
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
ENTA Yoshiharu
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
NAKAZAWA Hideki
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： SI ページ： SIIA16.1-SIIA16.8 発行年： 2019年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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