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文献
J-GLOBAL ID：201902283015499128
整理番号：19A2091582
Niマイクロめっき接合を用いたSiCパワーモジュールの高温耐性パッケージング技術【JST・京大機械翻訳】
High Temperature Resistant Packaging Technology for SiC Power Module by Using Ni Micro-Plating Bonding
Tatsumi Kohei
(Waseda University)
,
Morisako Isamu
(Waseda University)
,
Wada Keiko
(Waseda University)
,
Fukuomori Minoru
(Waseda University)
,
Iizuka Tomonori
(Waseda University)
,
Sato Nobuaki
(Mitsui High-tec Inc.)
,
Shimizu Koji
(Mitsui High-tec Inc.)
,
Ueda Kazutoshi
(Mitsui High-tec Inc.)
,
Hikita Masayuki
(Kyushu Institute of Technology)
,
Kamimura Rikiya
(Kitakyushu Foundation for the Advancement of Industry, Science and Technology)
,
Kawanabe Naoki
(WALTS Co., LTD.)
,
Sugiura Kazuhiko
(DENSO Corporation)
,
Tsuruta Kazuhiro
(DENSO Corporation)
,
Toda Keiji
(TOYOTA Motor Corporation)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： ECTC ページ： 1451-1456 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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